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納米顆粒跟蹤分析儀是一種基于納米顆粒跟蹤分析（NTA）技術(shù)的高精度物理性能測試儀器，主要用于測量納米顆粒的粒徑、濃度及Zeta電位等多參數(shù)信息。該儀器通過激光照射納米顆粒懸浮液，利用高分辨率顯微鏡捕捉顆粒的布朗運(yùn)動軌跡，并結(jié)合專用軟件分析粒徑分布。其核心在于通過追蹤單個顆粒的隨機(jī)運(yùn)動，結(jié)合斯托克斯-愛因斯坦方程，推算出顆粒的流體力學(xué)半徑，實(shí)現(xiàn)高精度測量。部分儀器還集成了微電泳技術(shù)，可同步測定Zeta電位，反映顆粒表面電荷特性。為確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性，納米顆粒跟蹤分析儀...

本文摘要SiC端面傾角度數(shù)會影響晶體生長動力學(xué)、界面特性和器件的電場分布，決定了SiC功率器件的性能，傾角控制精度已從“工藝參數(shù)”升級為“核心競爭力”，本文將介紹4°傾角及其方向的重要性，以及馬爾文帕納科高精度晶向定位儀Omega/theta如何幫助SiC襯底量產(chǎn)保持高的傾角控制技術(shù)。01丨碳化硅的生長模式無論是PVT還是HTCVD生長碳化硅單晶，都涉及到了氣固相變。所以，這個生長具有三種模式：島狀生長（Volmer-Weber，VW）、層狀生長（Frankvander-Me...

X射線衍射儀是一種利用X射線衍射原理來精確測定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)、織構(gòu)及應(yīng)力，進(jìn)行物相分析、定性分析、定量分析的儀器。其基本原理是：當(dāng)一束X射線照射到晶體物質(zhì)上時(shí)，由于晶體是由原子規(guī)則排列成的晶胞組成，這些規(guī)則排列的原子間距離與入射X射線波長有相同數(shù)量級，故由不同原子散射的X射線相互干涉，在某些特殊方向上產(chǎn)生強(qiáng)X射線衍射。衍射線在空間分布的方位和強(qiáng)度與晶體結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，不同的晶體物質(zhì)具有自己獨(dú)t的衍射圖樣。通過分析這些衍射圖樣，可以獲得物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)信息。以下是X射線衍射儀的安裝...

納米顆粒跟蹤分析儀是一種基于納米顆粒跟蹤分析（NTA）技術(shù)的物理性能測試儀器，在科研和工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。該儀器通過激光照射含有納米顆粒的樣品池，顆粒散射的光被顯微鏡捕捉并由相機(jī)記錄，形成顆粒運(yùn)動的視頻。專用軟件逐幀分析視頻，自動識別并跟蹤每個顆粒的移動路徑，計(jì)算其擴(kuò)散系數(shù)，再通過斯托克斯-愛因斯坦方程推算粒徑。其核心光學(xué)系統(tǒng)包含激光散射視頻顯微鏡和高靈敏度CMOS傳感器，支持10-2000nm粒徑檢測范圍，具備熒光檢測功能，可支持430/565/650nm多波長檢測，能...

激光粒度分布儀是一種用于測量和分析顆粒大小分布的精密儀器，廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)和科研領(lǐng)域。其核心原理基于激光散射理論，通過激光束照射樣品中的顆粒，當(dāng)光遇到顆粒時(shí)會產(chǎn)生散射現(xiàn)象，散射光的強(qiáng)度與角度分布與顆粒大小密切相關(guān)。儀器利用高靈敏度光電探測器陣列捕獲散射光信號，并通過全Mie散射理論進(jìn)行計(jì)算，最終得到顆粒的粒度分布數(shù)據(jù)。激光粒度分布儀具有多項(xiàng)顯著的技術(shù)特點(diǎn)。其測量范圍寬廣，通常支持0.1μm至500μm，部分型號甚至可達(dá)0.04μm至1000μm，能夠滿足從超細(xì)顆粒到粗顆粒的...